La mémoire de type flash (ang. « flash memory ») est un type de mémoire nommé EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), qui permet a l’enregistrement ou a la suppression de beaucoup de cellules de mémoire pendant une opération de programmation. Apres avoir coupé de l’électricité, elle ne perd pas de données qui ont y été enregistrées.
L’effacement et l’enregistrement des données dans la mémoire flash se déroule par l’application des signaux électriques appropriés. Le nom « flash » provient de l’opération d’effacement tres rapide des cellules enregistrées dans cette mémoire.
Ce type de mémoire dure est divisé selon le type des portes logiques y utilisées :
– Mémoire flash de type NOR, qui utilise la fonction NON-OU logique ; a cause du fait qu’elle permet a l’acces direct a chaque cellule de la mémoire dans le temps assez long d’enregistrement et de la lecture des données, alors elle est appropriée pour le stockage des information qui n’exigent par les actualisations fréquentes ; on l’a utilisé souvent dans les premieres versions des cartes mémoires nommées CompactFlash, qui ont été quand meme remplacées par la mémoire flash moins chere de type NAND.
– Mémoire flash de type NAND qui est basée sur le foncteur de disjonction logique (NAND) ; elle se caractérise par le temps plus court d’enregistrement et d’effacement des données que la mémoire de type NOR ; elle possede aussi la durabilité dix fois plus grande et plus grande densité d’accumulation des données, et aussi le rapport plus favorable entre le cout et la capacité ; l’acces séquentiel aux données limite l’utilisation de ce type de mémoire seulement comme le support de données dans les cartes de mémoire de type Memory Stick ou MultiMedia Card et dans la mémoire USB, alors les pendrives.
Le constructeur de premieres mémoires flash, meme NOR comme NAND, a été Fujio Masuoka, qui travaillait dans l’entreprise Toshiba (1980). Ce type de mémoire (type NOR) est entrée en production en 1988, et elle a été mis sur le marché par la société Intel. Un an plus tard, grâce aux entreprises Toshiba et Samsung, la mémoire flash de type NAND est apparue sur le marché.
La mémoire flash est composée de beaucoup de cellules de mémoire liées entre eux. Ces cellules possedent les contrôleurs additionnels, qui contrôlent telles opérations que : le contrôle et la détection d’erreurs, l’enregistrement et la lecture des données. Ce systeme est semblable a la construction de transistor a effet de champ. Les cellules de mémoire possedent deux portes : la porte de commande et la porte « flottant ». Pendant la lecture de certaine cellule, il y a la tension qui est appliquée a la porte de commande. Ensuite la charge de la porte « flottant » décide de circulation de courant et de tension seuil Ut. Dans le cas ou la tension de la porte de commande dépasse Ut, l’électronique de mémoire flash commence la conduction.
Aujourd’hui, la mémoire flash établit la révolution dans la construction des outils électriques. L’entreprise AMD qui la produit, équipe ce type de mémoire en la capacité de plus en plus grande et cela est dans les boitiers de plus en plus petits. De plus, cela favorise la diminution d’utilisation d’énergie.